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產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱：功能齊全 重慶內(nèi)藤銷售 FE-300V 薄膜厚度監(jiān)視器 OTSUKA大塚電子

  • 產(chǎn)品型號(hào)：FE-300V
  • 產(chǎn)品廠商：OTSUKA大塚電子
  • 產(chǎn)品價(jià)格：0
  • 折扣價(jià)格：0
  • 產(chǎn)品文檔：
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簡(jiǎn)單介紹：
對(duì)應(yīng)于從薄膜到厚膜的寬膜厚度 功能齊全 重慶內(nèi)藤銷售 FE-300V 薄膜厚度監(jiān)視器 OTSUKA大塚電子 使用反射光譜的厚度分析 功能齊全 重慶內(nèi)藤銷售 FE-300V 薄膜厚度監(jiān)視器 OTSUKA大塚電子 結(jié)構(gòu)緊湊·成本低，但非接觸式，非破壞性和高度**的測(cè)量 簡(jiǎn)單的條件設(shè)置和測(cè)量操作！易于測(cè)量任何人的膜厚度
詳情介紹：
它是一種緊湊，低成本的薄膜厚度計(jì)，可以通過高精度的光學(xué)干涉方法實(shí)現(xiàn)薄膜厚度測(cè)量，操作簡(jiǎn)單。
我們采用了一體化的房屋，在主體中容納了必要的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的數(shù)據(jù)采集。
光學(xué)常數(shù)的分析也可以通過獲得**反射率來實(shí)現(xiàn)，盡管它是低成本的。

（詳情請(qǐng)咨詢TEL:18375760285 QQ;1280713150 白先生）

特點(diǎn)
  • 對(duì)應(yīng)于從薄膜到厚膜的寬膜厚度
  • 使用反射光譜的厚度分析
  • 結(jié)構(gòu)緊湊·成本低，但非接觸式，非破壞性和高度**的測(cè)量
  • 簡(jiǎn)單的條件設(shè)置和測(cè)量操作！易于測(cè)量任何人的膜厚度
  • 通過非線性*小二乘法，優(yōu)化方法，PV方法，F(xiàn)FT分析方法等可以進(jìn)行各種各樣的膜厚度測(cè)量。
  • 通過非線性*小二乘法的膜厚度分析算法可以進(jìn)行光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率，k：消光數(shù)計(jì)數(shù)）

 

測(cè)量項(xiàng)目
  • **反射率測(cè)量
  • 薄膜厚度分析分析（10層）
  • 光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率，k：消光米數(shù)）

 

應(yīng)用程序使用
  • 功能性膜，塑料
    的透明導(dǎo)電膜（ITO，銀納米線），相位差膜，偏振膜，AR膜，PET，PEN，TAC，PP ，PC，PE，PVA， 膠，粘合劑，保護(hù)膜，硬外套，指紋等
  • 半導(dǎo)體
    化合物半導(dǎo)體，Si，氧化膜，氮化膜，Resist，SiC，GaAs，GaN，InP，InGaAs，SOI，藍(lán)寶石等
  • 表面處理的
    DLC涂層，防銹劑，防霧劑等
  • 光學(xué)材料
    過濾器，AR涂層等
  • FPD
    LCD（CF，ITO，LC，PI），OLED（有機(jī)薄膜，密封劑）等
  • 其他
    硬盤，磁帶，建筑材料等
測(cè)量原理

使用大冢電子，光學(xué)干涉測(cè)量和我們自己的高精度分光光度計(jì)可實(shí)現(xiàn)非接觸，無損，高速和高精度的薄膜厚度測(cè)量。光學(xué)干涉測(cè)量法是通過使用由使用如圖1所示的分光光度計(jì)的光學(xué)系統(tǒng)獲得的反射率來獲得光學(xué)膜厚度的方法。例如，如圖1所示，在金屬基板上涂布膜的情況下，從目標(biāo)試樣的上方入射的光被膜（R1）的表面反射。而且，透過膜的光在基板（金屬）或膜界面（R2）上反射。測(cè)量此時(shí)由于光程差引起的相移引起的光學(xué)干涉現(xiàn)象，并根據(jù)所獲得的反射光譜和折射率計(jì)算膜厚度的方法稱為光學(xué)干涉方法。有四種分析方法：峰谷方法，頻率分析方法，非線性*小二乘法和優(yōu)化方法。

膜厚測(cè)量原理

產(chǎn)品規(guī)格
模型 FE-300V FE-300 UV FE-300 NIR * 1
整個(gè) 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量類型 薄膜測(cè)量類型 厚膜測(cè)量類型 厚膜測(cè)量類型
（高分辨率）
樣本大小 *大8英寸晶圓（厚度5毫米）
測(cè)量的薄膜厚度范圍
（nd） 		100納米到40微米 10納米至20微米 3μm至300μm 15微米到1.5毫米
測(cè)量波長范圍 450納米到780納米 300nm至800nm 900nm至1600nm 1470nm至1600nm
薄膜厚度精度 ±0.2 nm * 2以內(nèi) ±0.2 nm * 2以內(nèi) - -
重復(fù)性 在0.1納米* 3以內(nèi) 在0.1納米* 3以內(nèi) - -
測(cè)量時(shí)間 在0.1秒到10秒內(nèi)
點(diǎn)直徑 φ約3毫米
光源 鹵素 氘和鹵素混合 鹵素 鹵素
接口 USB
尺寸，重量 <280（W）×570（D）×350（H）mm，約24kg
軟件        
標(biāo)準(zhǔn) 峰谷分析，F(xiàn)FT分析，優(yōu)化方法分析，*小二乘分析
選項(xiàng) 材料評(píng)估軟件，后期分析軟件，膜模型分析，參考板

* 1請(qǐng)與我們聯(lián)系以獲取詳細(xì)信息
* 2 
超大規(guī)模集成電路薄膜厚度保證（100納米二氧化硅/硅）* 3 所述的測(cè)量保證值范圍對(duì)于VLSI薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)（100納米二氧化硅/硅）重復(fù)測(cè)量的不確定性（包含因子2.1）

光學(xué)系統(tǒng)圖

FE-300膜厚測(cè)量光學(xué)系統(tǒng)圖

 

軟件屏幕

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