熱膨脹特性與硅單晶匹配。因此，可以在寬的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行失真少的陽極接合。

特點
單晶硅和完整性的熱膨脹特性
（ -氧化鈉的基于氧化硅氧化鋁）通過選擇鋁硅酸鹽基的玻璃組合物在寬的溫度范圍內(nèi)的熱膨脹硅單晶對準(zhǔn)。
簡單的陽極接合
我們通過添加痕量Na來降低體積電阻率，并且具有即使在低于400℃的溫度下也能夠牢固接合的玻璃組成
質(zhì)量穩(wěn)定
大量熱膨脹特性之間的分散性非常小且穩(wěn)定。
可以用加工性好，濃度低的氫氟酸水溶液進(jìn)行蝕刻，蝕刻后的表面成為鏡面。

應(yīng)用示例
1）半導(dǎo)體壓力傳感器基板
2）加速度傳感器基板
3）噴墨打印機的噴嘴部分
4）用于微細(xì)加工粘合的玻璃

項目	單位	SD2	備注
熱特性
熱膨脹系數(shù)	X10 - 7 /°C	32	30?300℃（干涉膨脹計）
	X10 - 7 /°C	33	30?350℃（干涉膨脹計）
	X10 - 7 /°C	34	30?400℃（干涉膨脹計）
	X10 - 7 /°C	35	30?450℃（干涉膨脹計）
	X10 - 7 /°C	36	30至500°C（干擾膨脹計）
應(yīng)變點	℃	670	10 14.5泊
過渡點	℃	720
屈服點	℃	785
機械性能
比重		2.60
年輕的Mod	GPA	87
剛度系數(shù)	GPA	35
泊松比		0.24
努普硬度		638
摩擦度		44
化學(xué)性質(zhì)
電阻HN0 3的	mg / cm 2	0.08	* 1
H 2 S 0 4阻力	mg / cm 2	<0.01	* 2
耐NaOH	mg / cm 2	<0.01	* 3
光學(xué)性能
折射率	（ND）	1.531
阿貝數(shù)	（N d）	59
電氣特性
耗散因數(shù)	（Tanδ）	0.010	20°C 1 MHz
	（Tanδ）	0.019	100°C 1 MHz
	（Tanδ）	0.049	200℃1MHz
介電常數(shù)		6	20°C 1 MHz
		7	100°C 1 MHz
		7	200℃1MHz
體積電阻率	X10 12歐米茄·男	4.1	20℃DC 500V 1分鐘
	X10 10歐米茄·男	0.4	100℃DC 500V 1分鐘
	X10 7歐米茄·男	3.8	200℃DC 500V 1分鐘